研究生: |
陳顗彭 Chen,Yi-Pong |
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論文名稱: |
ZnO薄膜之電性與光學係數受外加紫外光之調制特性研究 |
指導教授: |
洪姮娥
Horng, Herng-Er 楊謝樂 Yang, Shieh-Yueh |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
光電工程研究所 Graduate Institute of Electro-Optical Engineering |
論文出版年: | 2007 |
畢業學年度: | 95 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 45 |
中文關鍵詞: | 氧化鋅 、氧化鋅薄膜電性 、氧化鋅薄膜介電常數 、外差式干涉儀 |
英文關鍵詞: | ZnO, dielectric constant, heterodyne, interferometer |
論文種類: | 學術論文 |
相關次數: | 點閱:269 下載:0 |
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摘要
氧化鋅(zinc oxide,ZnO)其光學能帶(Optical energy band)寬度約為3.37eV,其正好位於紫外光波長範圍內,若利用紫外光照射氧化鋅薄膜將造成價電帶電子吸收紫外光能量後躍遷至導電帶,因而增加其導電性,但也因價帶電子變少後而造成介電係數(dielectric coefficient)變小,且在移除紫外光照射後隨即回覆其原來狀態,我們利用此特性來探討氧化鋅薄膜在外加不同強度紫外光下其電性與光學特性的變化。
光學量測上首先利用共路徑外差式干涉儀(common path heterodyne interferometer)來量測氧化鋅薄膜的折射率與介電係數,其中共路徑技術用於抑制相位飄移,以使干涉儀穩定,而外差干涉技術則是利用聲光調變器(acoustic optical modulator,AOM)將訊號載在特殊頻率上,透過鎖相放大器(lock-in amplify)針對此特殊頻率進行解析,以排除環境雜訊,使得共路徑外差干涉儀成文一套高穩定高準確性的量測系統。
在電性量測上,由於未掺雜的純氧化鋅薄膜電阻率很高,不易直接量測,因此制備成ZnO-base薄膜電晶體,形成透過閘極電極降低薄膜電阻,來簡化量測所需,以探討氧化鋅薄膜受紫外光影響的導電特性,其結果與光學量測系統所測得折射率與介電係數的結果驗證。
參考文獻
[1] 郭益男,“反應性射頻磁控濺鍍氧化鋅薄膜之光激發光特性之研究”,國立中山大學電機工程學系碩士論文,(2004)。
[2] E. L. Paradis and A. J. Shuskus, Thin Solid Films, vol. 38, pp. 131-141, 1976.
[3] Y. Igasaki and H. Saito, Thin Solid Films, vol. 199, pp. 223-230, 1991.
[4] T. K. e. al., Jpn. J. Appl. Phys. Part I, vol. 38, pp. 5796-5804, 1999.
[5] M. T. Young and S. D. Keun, Thin Solid Films, vol. 410, pp. 8-13, 2002.
[6] W. Water and S. Y. Chu, Mater. Lett., vol. 55, pp. 67-22, 2002.
[7] D. G. BaiK and S. M. Cho, Thin solid films, vol. 354, pp. 227-231, 1999.
[8] S. Tuzemen, G. Xiong, J. Wilkinson, B. Mischuck, K. B. Ucer, and R. T. Williams, Physica B, vol. 308-310, pp. 1197-1200, 2001.
[9] M. Sato, K. Seino, K. Onodera, and N. Tanno, Opt. Comm., vol. 184, pp. 95-104, 2000.
[10] J. Wang, G. Du, Y. Zhang, B. Zhao, X. Yang, and D. Liu, J. Crystal Growth, vol. 263, pp. 269-272, 2004.
[11] P. Sharma and K. Sreenivas, Applied Physics Letters, vol. 83, pp. 3617-3619, 2003.
[12] J. H. Ho, C. L. Lee, T. F. Lei, and T. S. Chao, J. Opt. Soc. Am. A, pp. 196-205, 1990.
[13] R. T. Phillips, J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 16, p. 489, 1983.
[14] T. Fukano and L. Yamaguchi, Appl. Opt., vol. 38, pp. 4065-4073, 1999.
[15] M. S. Kim and S. W. Kim, Appl. Opt., vol. 41, pp. 5938-5942, 2002.
[16] W. Water and S. Y. chu, Mater. Lett., vol. 55, pp. 67-72, 2002.
[17] J.H. Johnson, S.L. Siefken, Appl. Opt., vol. 37, pp. 1913-1916, 1998.
[18] M. Sato and N. Tanno, Appl. Opt., vol. 41, pp. 2461-2467, 2002.
[19] C. Greiner, B. Boggs, T. Wang, and T. W. Mossberg, Opt. Lett., vol. 23, pp. 1280-1282, 1998.
[20] D.N. Rao and V.N. Kumar, Appl. Opt., vol. 38, pp. 2014-2017, 1999.
[21] I. Hidenao, F. Y. Christoper, P. Gabriel, W. Adam, B. Kamran, R. D. Ramachandra, and S. F. Michael, Opt. Lett., vol. 29, pp. 2399-2401, 2004.
[22] S.J. Pearton, J. C. Zopler, R. J. Shul and F. Ren,J. Appl. Phys., Vol. 86, No. 1,1 July 1999,1.
[23] C.L. Mitsas and D.I. Siapkas, Appl. Opt. vol. 34, pp. 10,1995.