本實驗中我們將以歐傑電子能譜術（AES, Auger Electron Spectroscopy）、低能量電子繞射（LEED, Low Energy Electron Diffraction）、紫外光電子能譜術（UPS, Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy）與離子濺射來了解鈷薄膜在1ML Ag/Pt(111)上的 成長模式以及合金形成等過程。並進一步探測緩衝層Ag厚度變 化時，合金形成及界面組成成分之變動。 在室溫時，鈷的薄膜在1ML Ag/Pt（111）表面上的成長模 式為三維島狀成長的V W mode。由 AES、LEED與UPS都相互 呼應得到相同的結果，此外從晶格匹配度以及表面自由能兩個方面 來看，也可以支持此結果。 1ML Co/1ML Ag/Pt（111）的樣品升溫時，可以發現到當溫度 升至425K時鈷原子開始往下擴散，大約到600K時銀原子完全在 表面。此結果可以由歐傑訊號，以及UPS電子能譜的變化中來證實。 而且由AES配合離子濺射深度組成分析，更可看出加熱後，鈷薄 膜會擴散進入銀薄膜以及Pt基底而形成合金。 由以上的AES和UPS以及深度組成分析的結果，再由LEED繞射亮點強度對溫度變化的關係，可以計算得到鈷薄膜的表面德拜溫度為344K，常溫下的表面原子振動垂直表面方向的均方根位移為0.12埃，銀超薄膜的表面德拜溫度為188K，常溫下的表面原子振動垂直表面方向均方根位移為0.16埃。 而在1ML Co / XML Ag / Pt（111）的樣品（X=0.5 , 1 , 2 , 3 ）升溫時，可以比較出來鈷原子擴散進入銀薄膜而形成合金的溫度都是在425K，而銀原子完全在表面的溫度，則是隨著銀薄膜的厚度越厚而越高。形成合金後的界面，進一步的作深度成分組成分析。不同的銀薄膜厚度，鈷原子向下擴散的深度大約相同；銀薄膜的厚度越厚，則離子對銀原子的打擊效率越好。