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| 研究生： |
許文敏 Sheu Wen-Min |
|---|---|
| 論文名稱： |
半導體薄層結構及單層摻雜之電光性質研究 Electrooptical Properties of the Semiconductor Thin-Film Structure with Delta-Doping |
| 指導教授： |
黃福坤
Hwang, Fu-Kwun |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
物理學系 Department of Physics |
| 畢業學年度： | 86 |
| 語文別： | 中文 |
| 中文關鍵詞： | 砷化鎵 、砷化鎵鋁 、砷化鎵銦 、內建電場 、單層摻雜 |
| 論文種類： | 學術論文 |
| 相關次數： | 點閱：190 下載：0 |
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我們以光調制反射光譜 (PR)來研究由分子束磊晶法 (MBE)長成的砷化鎵/砷化鎵鋁/砷化鎵銦之多層異質結構在不同溫度下其電-光性質的變化。實驗所得的譜形包含了六組振盪譜形，將此光譜做擬合與分析，進一步與蝕除薄層後的實驗譜形作比對，可辨識出各組振盪之源由。除了樣品表面及異質接面因能帶彎曲形成內建電場外，樣品中的單層摻雜 (Si Delta-doping )可提供大量的空間自由載子，形成空間電荷造成空間電場。內建電場的大小可以由振盪譜形推算出，並利用簡單的平行板電容模型所推算出的電場大小與之比較，而內建電場的方向可由能帶結構的模擬與擬合電場相比較之後得出。
