迄今，矽奈米線(SiNWs)可使用不同的方法製作，例如雷射濺鍍、熱蒸鍍和微影技術。然而，由這些方法所製成之矽奈米線大多為非固定位置與方向或是由於自組式成長而形匯聚及扭轉等情況，限制了在奈米電子學之應用。
而本研究中我們結合由上而下之半導體製程技術並結合局部的矽氧化作用之技術製作直徑5 ~ 20奈米，長度近似於400奈米之多晶矽奈米線。局部矽氧化作用乃利用氮化矽於矽墊層區域防止矽氧化，並於介於源、汲極間電子傳輸之通道之矽線開窗以進行局部的矽氧化作用以形成矽奈米線。
此外，利用濕式蝕刻使多晶矽奈米線形成獨立懸掛橋樑結構，並定義多晶矽閘極，製作出全環繞式(gate all around；GAA)閘極奈米線場效電晶體。隨著元件之完成，以穿透式電子顯微鏡(TEM)確認元件之結構，並做基本電性之探討。

[1]. 蕭宏，羅正忠、張鼎張譯 "半導體製程技術導論"，2002。
[2]. 施敏，黃調元譯 "半導體元件物理與製作技術"，2002。
[3]. 林庭宇，矽奈米線場效電晶體之研究，國立臺灣師範大學光電科技研究所碩士論文，2008。
[4]. 吳佳緯，鍺奈米線與矽奈米線電晶體之研製，國立中央大學電機工程研究所碩士論文，2009。
[5]. http://www.intel.com
[6]. http://www.rohm.com.tw/products/application/
[7]. http://www.cyber-aspect.com/features/feature_article.asp?art=104
[8]. http://blogs.intel.com/technology/
[9]. C. D. Sheraw, M. Yang, D. M. Fried, G. Costrini, T. Kanarsky, W-H. Lee, V. Chan, M. V. Fischetti, J. Holt, L. Black, M. Naeem, S. Panda, L. Economikos, J. Groschopf, A. Kapur, Y. Li, R. T. Mo, A. Bonnoit, D. Degraw, S. Luning, D. Chidambarrao, X. Wang, A. Bryant, D. Brown, C-Y. Sung, P. Agnello, M. Ieong, S-F. Huang, X. Chen, M. Khare, VLSI Tech. Digest, 12 (2005).
[10]. N. Singh, K. D. Buddharaju, S. K. Manhas, A. Agarwal, S. C. Rustagi, G. Q. Lo, N. Balasubramanian and D. L. Kwong, IEEE Trans. Electron Devices 55, 3107 (2008).
[11]. Y. N. Xia, P. D. Yang, Y. G. Sun, Y. Y. Wu, B. Mayers, B. Gates, Y. D. Yin, F. Kim and Y. Q. Yan, Adv. Mater. 15, 353 (2003).
[12]. G. Li, N. Xi, H. Chen, A. Saeed, and M. Yu, Proc. IEEE Int. Conf. Robot. Autom., 428 (2004).
[13]. Y. Huang and C. M. Lieber, Pure Appl. Chem. 76 (12), 2051 (2004).
[14]. H. K. Ye, Z. Y. Gu, T. Yu and D. H. Gracias, IEEE Trans. Nanotechnol. 5, 62 (2006).
[15]. R. R. He, D. Gao, R. Fan, A. I. Hochbaum, C. Carraro, R. Maboudian and P. D. Yang, Adv. Mater. 17, 2098 (2005).
[16]. N. A. Melosh, A. Boukai, F. Diana, B. Gerardot, A. Badolato, P. M. Petroff and J. R. Heath, Science 300, 112 (2003).
[17]. D. W. Wang, B. A. Sheriff and J. R. Heath, Small 2, 1153 (2006).
[18]. R. Adelung, O. C. Aktas, J. Franc, A. Biswas, R. Kunz, M. Elbahri, J. Kanzow, U. Schurmann and F. Faupel, Nat. Mater. 3, 375 (2004).
[19]. J. Fu, N. Singh, K. D. Buddharaju, S. H. G. Teo, C. Shen, Y. Jiang, C. X. Zhu, M. B. Yu, G. Q. Lo, N. Balasubramanian, D. L. Kwong, E. Gnani and G. Baccarani, IEEE Electron Device Lett. 29, 518 (2008).
[20]. 孫允武，半導體物理與元件─場效電晶體原理，http://140.120.11.121/~ysuen/device_phys/handout/chap4.pdf
[21]. S. C. Rustagi, N. Singh, W. W. Fang, K. D. Buddharaju, S. R. Ornampuliyur, S. H. G. Teo, C. H. Tung, G. Q. Lo, N. Balasubramanian and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 28, 1021 (2007).
[22]. E. Gnani, S. Reggiani, M. Rudan, and G. Baccarani, Proc. IEEE ESSDERC, 371 (2006).
[23]. N. Singh, A. Agarwal, L. K. Bera, T. Y. Liow, R. Yang, S. C. Rustagi, C. H. Tung, R. Kumar, G. Q. Lo, N. Balasubramanian and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 27, 383 (2006).
[24]. N. Singh, F. Y. Lim, W. W. Fang, S. C. Rustagi, L. K. Bera, A. Agarwal, C. H. Tung, K. M. Hoe, S. R. Omampuliyur, D. Tripathi, A. O. Adeyeye, G. Q. Lo, N. Balasubramanian, and D. L. Kwong, IEDM Tech. Dig., 548 (2006).
[25]. K. H. Yeo, S. D. Suk, M. Li, Y. Y. Teoh, K. H. Cho, K. H. Hong, S. K. Yun, M. S. Lee, N. M. Cho, K. H. Lee, D. Y. Hwang, B. K. Park, D. W. Kim, D. G. Park, and B. I. Ryu, IEDM Tech. Dig., 539 (2006).
[26]. Y. Cui, L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, J. F. Wang and C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 78, 2214 (2001).
[27]. A. B. Greytak, L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen and C. M. Lieber, Appl. Phys. Lett. 84, 4176 (2004).
[28]. D. W. Wang, Q. Wang, A. Javey, R. Tu, H. J. Dai, H. Kim, P. C. McIntyre, T. Krishnamohan and K. C. Saraswat, Appl. Phys. Lett. 83, 2432 (2003).
[29]. Y. Y. Wu and P. D. Yang, Chem. Mat. 12, 605 (2000)
[30]. S. C. Rustagi, N. Singh, W. W. Fang, K. D. Buddharaju, S. R. Ornampuliyur, S. H. G. Teo, C. H. Tung, G. Q. Lo, N. Balasubramanian and D. L. Kwong, IEEE Electron Device Lett. 28, 1021 (2007).
[31]. H. I. Liu, D. K. Biegelsen, N. M. Johnson, F. A. Ponce and R. F. W. Pease, Vac. Sci. Technol. B 11, 2532 (1993).
[32]. H. I. Liu, D. K. Biegelsen, F. A. Ponce, N. M. Johnson and R. F. W. Pease, Appl. Phys. Lett. 64, 1383 (1994).
[33]. 國家奈米元件實驗室，http://www.ndl.org.tw
[34]. http://www.nnin.org/doc/JPL_IITB.Pres1small.pdf