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| 研究生： |
林麗娟 LIN, LI-JUAN |
|---|---|
| 論文名稱： |
硒化鋅之電子分佈 |
| 指導教授： |
陳瑞虹
Chen, Ruey-Hong |
| 學位類別： |
碩士 Master |
| 系所名稱： |
物理學系 Department of Physics |
| 畢業學年度： | 73 |
| 語文別： | 中文 |
| 中文關鍵詞： | 硒化鋅 、電子密度分佈 、剛體膺原子模型 、價鍵結合 、複極形變函數 |
| 英文關鍵詞： | STEWARD, RIGID-PSEUDOATOM-MODEL, MDF |
| 論文種類： | 學術論文 |
| 相關次數： | 點閱：128 下載：0 |
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一般從X 光繞射強度的測量可以得知有關晶體內電子密度分佈的資料。近年來有許多
關於四面體配位鍵結半導體化合物電子分佈之研究，一般認為這些Ⅲ－Ⅴ族或Ⅱ－Ⅵ
族半導體化合物之鍵結型式部分屬於離子鍵，部分歸於共價結構。本文即利用Stewar
t 剛體膺原子模型（Rigid Pseudoatom Model）以複極形變函數（Multipole Deform
ation Function）來分析ZnSe電子密度分佈及價鍵結合之情形。將模型假設下之各參
數用最小均方差迴歸修正（Least-Squares Refinement）的數學計算方法，找出與測
量數據相符合下各模型參數之值。這一連串繁瑣的約化修正計算過程全賴於電子計算
機才得以順利迅速完成。
由分析結果得知在高角度繞射下ZnSe各原子之溫度參數分別為Bzn=0.81 A2 BSe=0.54
A2，更由單極數量參數看出約有0.19個電子由Zn原子轉移到Se原子上，而原子間電荷
轉移之現象也正是決定化學鍵特性的要素之一。
