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研究生: 陳昱兆
論文名稱: 硫酸銨晶體的阻抗頻譜及介電性質之研究
指導教授: 陳瑞虹
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 物理學系
Department of Physics
論文出版年: 2007
畢業學年度: 95
語文別: 中文
論文頁數: 71
中文關鍵詞: 硫酸銨晶體Electric Modulus(M)導電弛豫活化能DSC曲線介電常數實部與頻率Cole-Cole plot單一離子導電弛豫弛豫時間
論文種類: 學術論文
相關次數: 點閱:138下載:14
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  • 摘要
    利用偏光顯微鏡來觀察硫酸銨晶體在室溫下的光學性質,以及加熱到593K的光學性質變化。熱分析DSC實驗用來瞭解該晶體隨溫度有無吸熱或是放熱反應的變化,並使用HP 4192A阻抗分析儀,量測硫酸銨晶體的阻抗隨溫度和頻率的變化關係。從阻抗分析數據中,可以求得導電率隨溫度變化的關係,進而求得樣品的導電活化能,以研究其導電性質;同時,我們也可以分析介電常數隨頻率、溫度變化的關係,並由Electric Modulus(M)的表示法來研究樣品的弛豫現象,進而求得其導電弛豫活化能。藉由研究我們得到:
    1.由光學觀測可以得到硫酸銨晶體在523K時表面開始發生熔解,538K時
    晶體周邊形狀開始發生改變,當溫度升高至583K,晶體完全變成液狀
    2.從晶體的熱分析DSC曲線,可以發現在溫度581.8K開始出現第一個吸
    熱峰值,而第二、三個峰值的溫度分別為619.6K、653.5K。其相變
    是屬於一階相變。可以得到吸熱峰值的熱熵變化的0.76J/(g.K)
    3.從阻抗抗的實驗結果得知,溫度越高,晶體內導電離子的貢獻越大,
    相對的晶體電偶的貢獻越小,晶體在室溫時,我們求得的直流導電活
    化能為1.24eV,導電弛豫活化能為1.47eV。
    4.介電常數實部隨溫度的上升而顯著增加,再觀察介電常數實部與頻率
    之關係,在低頻區介電常數值隨頻率的減少而增加。

    摘要......................................... I 誌謝......................................... II 目錄......................................... III 第一章 緒論................................... 1 第二章 晶體的成長和光學觀測..................... 4 第三章 熱分析測量與結果.......................... 14 第四章 基礎理論................................. 17 第五章 實驗結果與分析............................ 44 第六章 結果與討論................................ 68 參考資料........................................ 71

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