研究生: |
陳昱兆 |
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論文名稱: |
硫酸銨晶體的阻抗頻譜及介電性質之研究 |
指導教授: | 陳瑞虹 |
學位類別: |
碩士 Master |
系所名稱: |
物理學系 Department of Physics |
論文出版年: | 2007 |
畢業學年度: | 95 |
語文別: | 中文 |
論文頁數: | 71 |
中文關鍵詞: | 硫酸銨晶體 、Electric Modulus(M) 、導電弛豫活化能 、DSC曲線 、介電常數實部與頻率 、Cole-Cole plot 、單一離子導電弛豫 、弛豫時間 |
論文種類: | 學術論文 |
相關次數: | 點閱:138 下載:14 |
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摘要
利用偏光顯微鏡來觀察硫酸銨晶體在室溫下的光學性質,以及加熱到593K的光學性質變化。熱分析DSC實驗用來瞭解該晶體隨溫度有無吸熱或是放熱反應的變化,並使用HP 4192A阻抗分析儀,量測硫酸銨晶體的阻抗隨溫度和頻率的變化關係。從阻抗分析數據中,可以求得導電率隨溫度變化的關係,進而求得樣品的導電活化能,以研究其導電性質;同時,我們也可以分析介電常數隨頻率、溫度變化的關係,並由Electric Modulus(M)的表示法來研究樣品的弛豫現象,進而求得其導電弛豫活化能。藉由研究我們得到:
1.由光學觀測可以得到硫酸銨晶體在523K時表面開始發生熔解,538K時
晶體周邊形狀開始發生改變,當溫度升高至583K,晶體完全變成液狀
2.從晶體的熱分析DSC曲線,可以發現在溫度581.8K開始出現第一個吸
熱峰值,而第二、三個峰值的溫度分別為619.6K、653.5K。其相變
是屬於一階相變。可以得到吸熱峰值的熱熵變化的0.76J/(g.K)
3.從阻抗抗的實驗結果得知,溫度越高,晶體內導電離子的貢獻越大,
相對的晶體電偶的貢獻越小,晶體在室溫時,我們求得的直流導電活
化能為1.24eV,導電弛豫活化能為1.47eV。
4.介電常數實部隨溫度的上升而顯著增加,再觀察介電常數實部與頻率
之關係,在低頻區介電常數值隨頻率的減少而增加。
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