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研究生: 葉芝余
Jr-Yu Yeh
論文名稱: Rashba系統裡圓盤結構的電子散射
Electron scattering from a mesoscopic disk in Rashba system
指導教授: 張明哲
Chang, Ming-Che
學位類別: 碩士
Master
系所名稱: 物理學系
Department of Physics
論文出版年: 2005
畢業學年度: 93
語文別: 中文
論文頁數: 46
中文關鍵詞: Rashba系統圓盤結構的電子散射
英文關鍵詞: Rashba system, Electron scattering from a mesoscopic disk
論文種類: 學術論文
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  • 研究在含有Rashba系統的二維電子氣(2DEG)中,入射電子撞到圓盤的射散狀況,其中我們又個別探討當圓盤位能V是無窮大(infinite)和有限(finite)時,兩種不同入射電子波長 的射散,而入射波長 是分為大於圓盤半徑,和近似於圓盤半徑。在上述的條件下討論以下電子射散後的情形:
    機率密度分布
    各個分量的自旋期望值分布
    電荷電流密度(charge current density)分布狀況
    自旋電流密度(spin current density) 分布狀況
    微分散射截面(differential cross section)

    目錄 第一章 序論 1.1穿隧式電阻(TMR) ------------------------------------02 1.2巨磁電阻(GMR)---------------------------------------03 1.3磁性隨機存取記憶體(MRAM)----------------------------04 1.4自旋電晶體(Spin Transisitor)------------------------05 第二章 理論分析 2.1 研究主題-------------------------------------------09 2.2 理論方法-------------------------------------------10 第三章 結果與分析 3.1 圓盤位能 V(r)=∞-----------------------------------21 3.1.1 入射波長是圓盤半徑的三倍 Ⅰ.射散後的機率密度------------------------------------22 Ⅱ.自旋投影量------------------------------------------24 Ⅲ.電流密度--------------------------------------------27 Ⅳ. 自旋電流密度---------------------------------------29 3.1.2 入射波長等於圓盤半徑 Ⅰ.射散後的機率密度------------------------------------33 Ⅱ.自旋投影量------------------------------------------34 Ⅲ.電流密度--------------------------------------------35 Ⅳ. 自旋電流密度---------------------------------------35 Ⅴ. 入射波長等於半徑對不同 ”α ”的微分散射截面(differential cross section)---------------------------38 3.2 圓盤位能 V(r)=finite-------------------------------40 3.3 結論--------------------------------------------45 參考文獻---------------------------------------------46

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