本實驗首次以半導體Silicon(100)為基底，再於此基底上蒸鍍不同厚度的Co薄膜，蒸鍍時的背景壓力為6×10-4 Pa(約4.5×10 torr)，蒸鍍速率在0.7(Å/sec)以上，將蒸鍍好的樣品移至空氣中的MOKE裝置測量其柯爾訊號，可提供的最大磁場約為1400Oe。
在室溫下測量不同厚度的Co/Si(100)之柯爾訊號，結果顯示：在空氣中欲得到柯爾訊號，需要比真空中還厚的膜厚(實驗所得最小膜厚為24Å)，且蒸鍍時的速率也要比真空中的蒸鍍速率還大，最後選擇蒸鍍速率大於0.7(Å/sec)的樣品來作分析，以減少因為蒸鍍速率而造成的影響。此外，即使膜厚最小的24Å的樣品，由磁滯曲線可知其磁化易軸為平行樣品表面的方向，膜厚更厚的樣品亦然。在樣品Longitudinal方向的磁滯曲線隨外加磁場的角度變化並無明顯改變，而各樣品在Polar方向的磁滯曲線隨外加磁場的角度不同卻有很大的變化，磁場角度變化在1°之內即可使磁滯曲線走向相反，且正反兩邊的磁滯曲線圖形對稱。再由蒸鍍速率大於0.7(Å/sec)的樣品的磁滯曲線分析，樣品所鍍之膜厚越厚，其飽和磁化強度會隨之增加；而測量L-MOKE的矯頑力可知，樣品的矯頑力在83Å以上會隨厚度略為下降。
由於半導體室溫下電阻很大、加熱至某溫度後電阻又會瞬間減小許多的特性，使得要加熱樣品並量測各溫度的柯爾訊號極為不易，我們利用高電壓低電流的電源供應器直接通電流至樣品上來升溫。對45Å、71Å、83Å、177Å之樣品加熱後，測量各樣品L-MOKE的柯爾訊號，結果顯示：各樣品的飽和磁化強度在開始加熱後不隨溫度上升而有明顯變化，等溫度分別升高到140℃、160℃、170℃、190℃之後，飽和磁化強度才明顯下降，且都在大約30℃之內就降為零，推測這是因為Co原子在升溫至某溫度時開始和基底的Si原子反應形成CoSi2矽化物，以致有磁性的Co膜厚度越來越薄，故柯爾訊號會開始減小至最後變為零，此為一不可逆過程，因此加熱過後之樣品再降回室溫就量測不到柯爾訊號了。
而加熱後各樣品L-MOKE的矯頑力隨溫度的變化因厚度有所不同，加熱開始時矯頑力對厚度沒有明顯改變，但是厚度為45Å及71Å之樣品，在飽和磁化強度降為零之前的矯頑力會下降，而厚度為83Å及177Å之樣品的矯頑力卻是明顯變大，此部分有待日後繼續研究探討其意義。

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