本研究我們會系統化地研究不同界面對於鈷/銥(111)系統的磁性影響，利用歐傑電子能譜儀研究系統成分及化學狀態、表面磁光柯爾效應儀研究系統磁性變化。首先以石墨烯此一非金屬二維材料作為介面系統，並變更鈷厚度來探討石墨烯/鈷/銥(111)的影響變化。鈷薄膜皆會在熱退火後插層至石墨烯下方，並在鈷厚度還太薄時其系統的居禮溫度低於室溫，之後隨著鈷厚度增加，系統磁易軸會從極向慢慢轉往縱向，此外極向的矯頑力還會隨著鈷厚度增加而下降。之後嘗試覆蓋銀薄膜改變石墨烯/鈷的界面效應，同樣在熱退火後發現鈷會插層至銀/石墨烯下方，並發現銀能有效降低系統的極向矯頑力，更使得磁易軸轉換的鈷厚度得到提升，確切地顯示出銀薄膜能使得石墨烯/鈷/銥(111)系統的垂直異向性得到增強。本研究中覆蓋銀的方式有兩種，其一是直接在石墨烯/鈷/銥(111)上直接蒸鍍銀薄膜，另一種先製備鈷/銀/石墨烯/銥(111)系統後，再以熱退火的方式使其變成銀/石墨烯/鈷/銥(111)系統。兩種製備方式所量測出的磁滯曲線大有不同，後者能得出較為方正的磁滯曲線。但不論是何者皆顯示銀覆蓋層能使石墨烯/鈷/銥系統的磁易軸更加穩固在極向方向的作用。另外本碩論亦詳細計算出受銀影響前/後的介面異向能數值，這使其在自旋電子元件與磁紀錄媒體的開發上有所助益。此材料不論鈷或銀厚度如何，其各成分元素皆保持穩定的化學態，也即在生產階段可以保持良好品質的薄膜，應用於元件而具有優秀良率。

[1] 金重勳，磁性技術手冊，磁性技術學會，竹東 (2002)。
[2] A. Gundel et al., Phys. Chem. Chem.Phys. 3, 3330-3335 (2001).
[3] K. He et al., Phys. Rev. B. 72,155432 (2005).
[4] W. Y. Chan, D. C. Tsai, W. H. Chen, C. H. T. Chang and J. S. Tsay, J. Korean Phys. Soc. Vol. 62, No. 12, pp. 1945∼1949 (2013).
[5] N. Rougemaille, A. T. N’Diaye, J. Coraux, C. Vo-Van, O. Fruchart and A. K. Schmid, Appl. Phys. Lett. 101, 142403 (2012).
[6] I. Carlomagno et al., Chem. Phys. Lett. 697, 7-11 (2018).
[7] R. D. et al., Phys. Rev. B. 87, 041403(R) (2013).
[8] Jakub Drnec et al., CARBON 94, 554–559 (2015).
[9] H. Vita et al., Phys. Rev. B. 90, 165432 (2014).
[10] H. Yang et al., Nano Lett. 16, 145-151 (2016).
[11] F. C. Chen, Y. E. Wu, C. W. Su, C. S. Shern, Phys. Rev. B. 66, 184417 (2002).
[12] D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Phys. Rev. Lett. 64, 1943 (1990).
[13] J. A. Vanables, Introduction to Surface and Thin Film Processes (Cambridge University Press, Cambridge, 2000).
[14] T. A. Roth, Mater. Sci. Eng. 18, 183 (1975).
[15] R. J. Needs and M. Mausfield, J. Phys. Condensed Matter 1, 7555 (1989).
[16] S. R. Wang, Y. Zhang, N. Abidi, L. Cabrales, Langmuir. 25, 11078 (2009).
[17]G. A. Somorjai, Chemistry in two dimensions surface (Cornell University Press, Ithaca and London, 1981).
[18] 張勁燕，半導體製程設備，第四版，五南出版社，台北市 (2005)。
[19] B. D. Cullity, Introduction to Magnetic Materials (Addison-Wesley, Massachusetts, 1972).
[20] 葉人菘，國立中央大學碩士論文 (2012)。
[21] D. Jiles, Introduction to Magnetism and Magnetic Materials (Chapman & Hall, London, 1991).
[22] 金重勳，磁性技術手冊，磁性技術學會，竹東 (2002)。
[23] M. Marolt, Superparamagnetic materials (University of Ljubljana Faculty of Mathematics and Physics, Ljubljana, 2014).
[24] M. T. Johnson, Rep. Prog. Phys. 59 1409-1458 (1996)
[25] 蔡志申，物理雙月刊，二十五卷五期，605 (2003)。
[26] 左卷健男、田中陵二，元素圖鑑，初版，聯經出版社，台北市 (2013)。
[27] 魏明通，無機化學，初版，五南出版社，台北市 (2001)。
[28] 羅吉宗，固態物理，滄海書局，台中市 (2007)。
[29] U. K. Sr, Graphene: a rising star on the horizon of materials science, Int. J. Electrochem. 237689 (2012).
[30] Hongwei Zhu et al., Graphene: Fabrication, Characterizations, Properties and Applications (Academic Press, London, 2018).
[31] M. Hansen, Constitution of Binary Alloys, 2nd ed. (McGRAW-HILL book company, New York, 1958).
[32] Prasad Prakash Patel et al. J. Mater. Chem. A 3,14015-14032 ( 2015).
[33] H. Okamoto, Journal of Phase Equilibria and Diffusion Vol. 36, No. 1 (2015).
[34] MTDATA – Phase Diagram Software from the National Physical Laboratory. keyword: Ag-Ir phase diagram.
http://resource.npl.co.uk/mtdata/phdiagrams/agir.htm
[35] MTDATA – Phase Diagram Software from the National Physical Laborator [C-Ir phase diagram]. Retrieved from http://resource.npl.co.uk/mtdata/phdiagrams/cir.htm
[36] MTDATA – Phase Diagram Software from the National Physical Laboratory [C-Co phase diagram]. Retrieved from http://resource.npl.co.uk/mtdata/phdiagrams/cco.htm
[37] MTDATA – Phase Diagram Software from the National Physical Laboratory [Ag-C phase diagram]. Retrieved from http://resource.npl.co.uk/mtdata/phdiagrams/agc.htm
[38] J.Coraux et al., Growth of graphene on Ir(111). New J. Phys. 11, 023006 (2009).
[39] R. Murali, Graphene Nanoelectronics From Materials to Circuits (Springer, USA, 2011).
[40] J. Coraux et al., Phys. Chem. Lett. 3, 2059 – 2063 (2012).
[41] S. Vlaic et al., Appl. Phys. Lett. 104, 101602 (2014).
[42] Matthias. B.,Surf. Sci. Rep. 67, 83-115 (2012).
[43] C. W. Su, H. Y. Ho, C. S. Shern, R. H. Chen, Chinese Journal of Physics 41, 519 (2003).
[44] 蘇青森，真空技術精華，五南出版社，臺北市 (2000)。
[45] 伍秀菁、汪若文、林美吟，真空技術與應用，行政院國家科學委員會精密儀器發展中心，新竹 (2001)。
[46] 王咸捷，國立臺灣師範大學碩士論文 (2015)。
[47] 曹立禮，材料表面科學，清華大學出版社，大陸，北京 (2007)。
[48] L. E. Davis et al., Handbook of Auger electron spectroscopy, 2nd ed., (Physical Electronics Industries, Inc., Eden Prairie, 1976).
[49] 李亞倫，國立臺灣師範大學碩士論文 (2011)。
[50] M. P. Seah and W. A. Dench, Surf. Interface Anal. 1, 2 (1979).
[51] S. Ichimura, R. Shimizu, J. P. Langeron, Surf. Sci. 112, 386 (1981).
[52] S. Ichimura, R. Shimizu, J. P. Langeron, Surf. Sci. 124, L49 (1983).
[53] G. Ertl and J. Küppers, Low Energy Electrons and Surface Chemistry, 2nd ed. (VCH, Weinheim, 1985).
[54] Z. Q. Qiu and S. D. Bader, Rev. Sci. Instrum. 71, 1243 (2000).
[55] J. P. Quian and G.C. Wang, J. Vac. Sci. Technol. A8, 4117 (1990).
[56] 蔡志申，表面磁光科爾效應及其應用，pp. 355-373, Book chapter in 磁性科技與應用，2017初版。主編：姚永德、蔡志申，國立臺灣師範大學出版中心，ISBN978-986-5624-30-9。
[57] J. S. Tsay et al., J. Appl. Phys. Vol. 93, No. 10, Parts 2 & 3 (2003).
[58] N. R. Gall’et al., Physics of the Solid State Vol. 46, No. 2, pp. 371–377 (2004).
[59] R. D. et al., Phys. Rev. B. 87, 041403(R) (2013).
[60] A. Guria et al., Sci. Rep. 4, 6518 (2014).
[61] P. R. Bevington and D. K. Robinson, Data Reduction and Error Analysis for the Physical Sciences (McGraw Hill, New York, 1969).