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Author: 黃轄然
Thesis Title: [Rb/(3-x)(NH/4)/xH(SO/4)/2晶體的結構相變與介電性質之研究
Advisor: 陳瑞虹
Degree: 碩士
Master
Department: 物理學系
Department of Physics
Thesis Publication Year: 2000
Academic Year: 88
Language: 中文
Keywords (in Chinese): 偏光顯微鏡阻抗分析相變溫度導電係數
Thesis Type: Academic thesis/ dissertation
Reference times: Clicks: 164Downloads: 1
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  • 摘 要
    本論文透過偏光顯微鏡與阻抗分析儀來觀測與分析我們所成長的[Rb3-x(NH4)xH(SO4)2]晶體(x=0.83、1.35、1.67、1.85)。我們首先得到此晶體的光學性質隨NH4的含量而變化,且發現升溫過程晶體的中間相很明顯,由DSC實驗結果發現四種混晶的第二個相變溫度隨NH4含量的增加而降低,但細部的變化複雜而不能由一簡單法則歸納。
    藉由導電係數的研究我們得到晶體的導電性可模擬成一RC並聯的等效電路,且隨溫度的上升晶體電阻值降低、導電係數升高。在室溫相交流電頻率為100Hz~4MHz時,晶體的活化能隨混晶比例的變化,有些許變化,但並非很大。在室溫相,活化能會隨著電場頻率增加而減小,在高溫相,活化能相同,換言之在高溫相,晶體的活化能與頻率無關。此外室溫相時晶體內的導電H離子是穿過兩端不對稱的位能障,而中間相與高溫相則是對稱的位能障,且高溫相時H離子的傳導有類似直流的性質。

    目 錄 誌謝 ………………………………………………………….. 摘要 ………………………………………………………….. 目錄 ………………………………………………………….. 第一章 緒論 …………………………………… 1 第二章 晶體成長與光學觀測 …………………………………… 3 第三章 晶體介電性的研究 …………………………………… 20 第一節 晶體的離子導電性 ………………………….. 20 第二節 阻抗分析 ………………………….. 24 第三節 實驗 ………………………….. 27 第四章 結果與討論 …………………………………… 30 第五章 結論 ………………………………………… 70 參考資料 ……………………………………………………... 74

    參考資料
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