Author: |
黃轄然 |
---|---|
Thesis Title: |
[Rb/(3-x)(NH/4)/xH(SO/4)/2晶體的結構相變與介電性質之研究 |
Advisor: | 陳瑞虹 |
Degree: |
碩士 Master |
Department: |
物理學系 Department of Physics |
Thesis Publication Year: | 2000 |
Academic Year: | 88 |
Language: | 中文 |
Keywords (in Chinese): | 偏光顯微鏡 、阻抗分析 、相變溫度 、導電係數 |
Thesis Type: | Academic thesis/ dissertation |
Reference times: | Clicks: 164 Downloads: 1 |
Share: |
School Collection Retrieve National Library Collection Retrieve Error Report |
摘 要
本論文透過偏光顯微鏡與阻抗分析儀來觀測與分析我們所成長的[Rb3-x(NH4)xH(SO4)2]晶體(x=0.83、1.35、1.67、1.85)。我們首先得到此晶體的光學性質隨NH4的含量而變化,且發現升溫過程晶體的中間相很明顯,由DSC實驗結果發現四種混晶的第二個相變溫度隨NH4含量的增加而降低,但細部的變化複雜而不能由一簡單法則歸納。
藉由導電係數的研究我們得到晶體的導電性可模擬成一RC並聯的等效電路,且隨溫度的上升晶體電阻值降低、導電係數升高。在室溫相交流電頻率為100Hz~4MHz時,晶體的活化能隨混晶比例的變化,有些許變化,但並非很大。在室溫相,活化能會隨著電場頻率增加而減小,在高溫相,活化能相同,換言之在高溫相,晶體的活化能與頻率無關。此外室溫相時晶體內的導電H離子是穿過兩端不對稱的位能障,而中間相與高溫相則是對稱的位能障,且高溫相時H離子的傳導有類似直流的性質。
參考資料
[1] R.H.Chen, T.M.Chen, J. Phys.Chem.Solids, 58,161(1997).
[2] K.Gesi, Phys.Status Solidi(A), 33,479(1976).
[3] K.Gesi, Jpn.J.Appl.Phys., 19,1051(1980).
[4] R.H.Chen, T.M.Chen, J. Phys.Chem.Solids, 58,161(1997).
[5] S.Suzuki, Y.Makita, Acta. Cryst., B34,732(1978) .
[6] P.A.Leclaire, M.Ledesert, J.C.Monier, A.Daoud, M.Damak, Acta. Cryst.,B41,209(1985) .
[7] T.Fukami, K.Horiuchi, K.Nakasonek, K.Furukawa, Jpn.J.Appl
.Phys., 35,2253(1996).
[8] S.Fortier, M.E.Fraser, R.D.Heyding, Acta.Cryst., C41,
1139(1985).
[9] M.Ichikawa, J.Phys.Soc.Japan, 45,355(1978).
[10]R.H.Chen, T.M.Chen, C.S.Shern, J.Phys.Chem.Solids. 61,
1399(2000).
[11]張愛玲, 碩士論文, 國立台灣師範大學, 台灣(1999).
[12]B.V.Merinov, U.Bismayer, V.V.Synitsyn, A.I.Baranov,
Phase Transitions. 69,439(1999).
[13]L. Smart and E. Moore,“Solid State Chemistry”, Chapman
& Hall, London(1992).
[14]M. Honda, 阻抗量測手冊, HP惠普科技公司, 台灣(1993).
[15]A.S.Nowick, B.S.Lim, and A.V.Vaysleyb, J.Non-Cryst.
Solids,1243,172(1994).
[16]H. Besbes, T. Mhiri, A. Daoud, Phase Transitions.
00,13(1999).