摘 要
本論文透過偏光顯微鏡與阻抗分析儀來觀測與分析我們所成長的[Rb3-x(NH4)xH(SO4)2]晶體(x=0.83、1.35、1.67、1.85)。我們首先得到此晶體的光學性質隨NH4的含量而變化，且發現升溫過程晶體的中間相很明顯，由DSC實驗結果發現四種混晶的第二個相變溫度隨NH4含量的增加而降低，但細部的變化複雜而不能由一簡單法則歸納。
藉由導電係數的研究我們得到晶體的導電性可模擬成一RC並聯的等效電路，且隨溫度的上升晶體電阻值降低、導電係數升高。在室溫相交流電頻率為100Hz～4MHz時，晶體的活化能隨混晶比例的變化，有些許變化，但並非很大。在室溫相，活化能會隨著電場頻率增加而減小，在高溫相，活化能相同，換言之在高溫相，晶體的活化能與頻率無關。此外室溫相時晶體內的導電H離子是穿過兩端不對稱的位能障，而中間相與高溫相則是對稱的位能障，且高溫相時H離子的傳導有類似直流的性質。

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